铝氮化物(AlN)溅射靶材,纯度:99.8%,Size:4”,厚:0.250”
溅射靶材的应用;
- 溅射靶材用于膜沉积。溅射靶标的沉积是一种通过溅射
沉积薄膜的方法 这涉及将“靶材”源侵蚀到“基板”上的材料。 - 半导体溅射靶标用于蚀刻靶材。在高度蚀刻各向异性
的情况下,选择了溅射蚀刻 需要,选择性不是问题。 - 溅射靶标也用于通过蚀刻靶材材料来分析。
示例之一发生在次级离子光谱中,其中靶材样品以恒定速率溅射。由于靶材被溅射,
使用质谱"&"法测量溅射原子的浓度和身份。通过帮助溅射靶材,
的组成
可以确定靶材材料,甚至检测到极低的杂质。
溅射靶材在空间中也具有应用区域。溅射是空间风化的形式之一,该过程改变了物理和
无气体的化学特性,例如小行星和月亮。
氮化铝是一种具有Aln.Aluminum硝酸盐配方的化学化合物
特性。氮化铝铝的高质量膜已在包括光学和光电设备在内的各种设备和传感器中使用。如
与光学和光电应用有关,宽带隙以及高权 - 索引和低吸收
系数使ALN成为这些应用的非常有吸引力的材料。除此之外,Aln膜的热和化学稳定性使其成为
适用于困难环境中的应用。
如今,Aln膜 /涂料已通过几种包括脉冲激光沉积,反应性分子束外延,真空
的方法生长
弧/阴极弧沉积,直流/RF反应性溅射,离子束溅射,金属有机化学蒸气沉积和其他
其他技术。由于简单性,可重复性,易于扩展性和较低的成本,磁控溅射是生长
的常见方法之一
用于各种应用的Aln电影。
AL"&"N膜的特性取决于晶体结构,晶体取向,微结构和化学成分,这又取决于
沉积条件,例如溅射功率,脉搏频率,占空比,生长温度,氮 /氩气流比和溅射气体
压力。 ALN溅射靶标可通过反应性DC磁控溅射系统的方法给予良好的结果。