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具有残余低频听力的人工耳蜗（cochlear implant，CI）候选者越来越多地接受保留听力的电极阵列植入，以实现电声刺激（electric acoustic stimulation，EAS）。然而，对新生儿和幼儿的极低频听力进行评估仍然较为困难。既往研究表明，当刺激部位在空间上相互分离时，声刺激能够掩蔽电刺激诱发的听觉感知。目前尚不清楚，在尚未置入耳蜗、于圆窗（round window，RW）附近施加电刺激时，是否也会出现此类掩蔽效应。本研究考察了12名具有残余低频听力、植入短电极阵列或部分置入电极阵列的EAS使用者中，同侧声刺激对顶端、基底部及圆窗附近部位电刺激的掩蔽作用。采用心理物理学范式，测量同时施加声刺激时电脉冲序列的阈值升高。电刺激分别施加于耳蜗外圆窗位置以及耳蜗内的基底部和顶端电极，并对刺激参数进行系统性改变。圆窗附近的电刺激能够稳定诱发听觉感知，且未产生副作用，但最佳刺激参数和掩蔽强度在受试者之间存在差异。顶端刺激始终可观察到较强的声掩蔽，而基底部刺激和圆窗刺激则产生较弱但可测量的掩蔽效应。耳蜗集总参数模型表明，在圆窗施加的电流约有5%能够到达耳蜗顶端区域，从而解释了低频声调所产生的掩蔽效应。仅对于顶端刺激，掩蔽强度与残余听力相关。这些发现表明，与残余听力相关的顶端电刺激声掩蔽效应有望作为术后评估低频听力的诊断工具。在圆窗刺激和基底部刺激期间均能检测到掩蔽效应，这一结果具有重要意义，表明这些刺激范式能够产生可量化的影响。鉴于受试者之间存在显著差异，仍需进一步研究以明确掩蔽测量在多大程度上能够反映残余听力或听力损失。尽管如此，本研究结果为基底部及耳蜗外电刺激相关的听觉感知和副作用提供了新的认识，并将为未来优化该方法以评估低频听力的研究提供依据。
具有残余低频听力的人工耳蜗（CI）候选者越来越多地接受保留听力的电极阵列植入，以实现电声刺激（EAS）。然而，对新生儿和幼儿的极低频听力进行评估仍然十分困难。既往研究表明，当刺激部位在空间上彼此分离时，声刺激能够掩蔽电刺激诱发的听觉感知。当电刺激施加于圆窗（RW）附近、且尚未插入耳蜗之前时，是否也会出现此类掩蔽现象，目前尚不明确。
本研究考察了同侧声刺激对分别施加于耳蜗顶端、基底部及圆窗附近部位的电刺激的掩蔽作用。研究对象为12名具有残余低频听力、植入短电极阵列或部分插入式电极阵列的EAS使用者。采用心理物理学范式，测量同步声刺激期间电脉冲序列的阈值升高情况。电刺激分别施加于耳蜗外圆窗部位以及耳蜗内的基底部和顶端电极，同时系统性改变刺激参数。
圆窗附近的电刺激能够稳定诱发听觉感知，且未出现副作用，但最佳刺激参数和掩蔽强度在不同受试者之间存在差异。对于顶端刺激，始终观察到较强的声掩蔽；而对于基底部和圆窗刺激，则观察到较弱但可测量的掩蔽效应。耳蜗集总参数模型显示，在圆窗处施加的电流约有5%能够到达耳蜗顶端区域，这解释了低频声调所产生的观察到的掩蔽效应。仅对于顶端刺激，掩蔽强度与残余听力相关。
这些发现表明，顶端电刺激所产生的声掩蔽与残余听力相关，因此有望作为术后评估低频听力的诊断工具。在圆窗刺激和基底部刺激期间均能检测到掩蔽效应，这一结果具有重要意义，表明这些刺激范式能够产生可量化的影响。鉴于受试者之间存在较大的个体差异，仍需开展进一步研究，以确定掩蔽测量在多大程度上反映残余听力或听力损失。尽管如此，本研究结果为了解基底部及耳蜗外电刺激相关的听觉感知和副作用提供了新的见解，并将为未来优化该方法、用于低频听力评估的研究提供依据。
📄 原文链接：https://www.biorxiv.org/content/10.64898/2026.09.16.752065v1?rss=1
🏷️ 人工耳蜗 电声刺激 声掩蔽 残余低频听力 圆窗电刺激 听觉心理物理学