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记忆编码细胞，或记忆痕迹细胞（engram cells），在大脑中呈稀疏分布。近期研究发现，记忆形成伴随着记忆痕迹细胞群之间跨脑区突触连接的增强。然而，这种由学习诱导的突触重组是否能够独立地或与异突触可塑性及内在可塑性协同作用，从而对记忆提供因果性支持，仍然尚不明确。 在本研究中，我们开发了光学实现的脉冲时序依赖性可塑性（optically implemented spike-timing-dependent plasticity, oSTDP），该方法通过控制突触前与突触后活动的相对时序，选择性地在目标突触处诱导突触抑制。在体内将oSTDP应用于内嗅皮层（entorhinal cortex, EC）与齿状回（dentate gyrus, DG）记忆痕迹细胞之间的突触后，导致显著的突触抑制及随之产生的记忆损伤。我们的结果表明，记忆编码细胞群之间功能连接性的可塑性在因果上构成了记忆的基础。
1 记忆与胶质科学中心，生命科学研究所，基础科学研究院（IBS）；韩国大田 34141； 在 Google Scholar 上查找该作者 在 PubMed 上查找该作者 在持有人为作者/资助方，其已授予 bioRxiv 永久展示该预印本的许可。 保留所有权利。未经许可不得再次使用。
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发布于 2026 年 7 月 31 日。 下载 PDF 补充材料 电子邮件
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突触痕迹构成记忆的基础
Dae Hee Han， Hoonwon Lee， Jongrok Do， Pojeong Park， Hyunmin Park， Hyungji Lee， Yeonjun Kim， Chang-Ho Kim， Jooyoung Kim， Chaery Lee， Jun-Yeong Baek， Myunghyun Cheon， Ji-il Kim， Dong Il Choi， Doyun Lee， Bong-Kiun Kaang
bioRxiv 2026.07.30.740767； doi： https://doi.org/10.64898/2026.07.30.740767
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突触痕迹构成记忆的基础
Dae Hee Han， Hoonwon Lee， Jongrok Do， Pojeong Park， Hyunmin Park， Hyungji Lee， Yeonjun Kim， Chang-Ho Kim， Jooyoung Kim， Chaery Lee， Jun-Yeong Baek， Myunghyun Cheon， Ji-il Kim， Dong Il Choi， Doyun Lee， Bong-Kiun Kaang
bioRxiv 2026.07.30.740767； doi： https://doi.org/10.64898/2026.07.30.740767
📄 原文链接：https://www.biorxiv.org/content/10.64898/2026.07.30.740767v1?rss=1
🏷️ 记忆痕迹细胞 突触可塑性 oSTDP 内嗅皮层-齿状回通路 记忆编码