单细胞染色质示踪揭示记忆形成过程中的多模态分子程序

经验依赖性的活动在记忆形成过程中被转化为神经元集群中的协调分子程序。然而，由于这些集群的稀疏性以及即刻早期基因（IEG）表达的瞬时性，目前尚不清楚IEG如何调动下游的次级反应基因（SRG）以调控学习特异性的神经可塑性。在此，我们构建了一个关于厌恶性学习的单细胞多组学图谱，并开发了ChromTRAP，该方法可基于以AP-1（FOS/JUN）为中心的染色质痕迹，回溯性识别近期被激活的神经元集群。我们整合了杏仁核、海马和前额叶皮层中的转录、染色质可及性、组蛋白修饰以及FOS占位信息。由此揭示了学习相关基因（LAG）的调控程序；LAG被定义为相较于基线活动或非依赖关联的刺激暴露，更倾向于由关联性学习诱导的SRG。这些调控程序遵循一种具有脑区和细胞类型特异性的近端—远端调控逻辑：近端表现为与Polycomb相关的H3K27me3重塑，远端表现为AP-1结合且带有H3K27ac标记的增强子。LAG还进一步与增强的细胞间信号传导及MEF家族活性相关。我们的研究结果建立了一个单细胞多组学框架，用于揭示学习经验如何在活动依赖性神经可塑性过程中与分层表观遗传调控相连接。

本网站正在使用一项安全服务来保护自身免受在线攻击。您刚刚执行的操作触发了该安全解决方案。可能触发此拦截的行为有多种，包括提交某个特定单词或短语、SQL 命令或格式错误的数据。

您可以向网站所有者发送电子邮件，告知您被拦截的情况。请在邮件中说明当该页面出现时您正在进行的操作，并附上本页面底部显示的 Cloudflare Ray ID。

📄 原文链接：https://www.biorxiv.org/content/10.64898/2026.06.16.732522v1?rss=1

🏷️ 单细胞多组学 记忆形成 神经可塑性 染色质可及性 表观遗传调控 即刻早期基因